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如果把电容C并联在线圈两端，就成为的电路，关闭合时充电电流在R上形成压降，使线圈两端电压增长较慢，吸合时间就会延长。同样，在关断时，电容C的放电和被感应电势反向充电，又会使释放时间延长。继电器延缓动作电路若只希望延长释放时间，可利用的电路。电源接通时二极管D处于截止状态，不起作用。但当关K断时，线圈里的感应电势将通过二极管形成电流，使铁芯里的磁通衰减缓慢，释放动作就推迟了。继电器延缓动作电路(二极管)电路比占用空间小，但只延缓释放时间，对吸合时间无影响。
MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。
在END_STRUCT点回车，在出现的新的行中定义一个名为fault的字符串，如上图所示，字符串长度占20个字符在上图中stack所在行的地址列中的+12表示结构在数据块中的起始地址为DBB12，结构中各元素的地址列中的+2.0等表示在结构中的相对起始地址，=8.0表示该结构一共占用8B， 一行地址行的=42.0表示DB块中的数组、结构和字符串一共占用42B，访问结构中的元素可以用结构中的元素的地址或符号地址来访问结构中的元素，访问结构中的数据时，需要指出结构所在的数据块的名称、结构名称，以及结构元素名称，数据块 内结构stack的元素amount应表示为” ”.stack.amount。
