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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。
三菱FX3U与三菱变频器多从站通信硬件如下：plc：FX3U-64MR-ES/A1台特殊模块：FX3U-4AD1台变频器：FR-E740-7. -CHT2台通信板：FX3U-485-BD1片触摸屏：威纶通TK6070IP1台机械工艺如下：实现2轴变频器+编码器搬运，另外6个电机输送线传动。5KW电机加了刹车电阻。。。技术参数：三台变频器通过FX3U-485-BD与FX3UPLC实现485通信，节省硬件接线。
在测量电流时，应特别注意必须把电路断，将表笔串联在电路中。在测量2500v交流或直流高压电压时，要注意人身安全，测试表笔应该分别插入“2500v”及“一”插孔中。测量电阻时必须将被测电路与电源切断，当电路中有电容存在时必须先将电容进行放电，以免损坏表头。电阻测量时，量程应该选择合适。在测量低电阻时要注意接触电阻，在测量高电阻时（大于10kΩ），应该注意不可以加入并联电路（不应将人手接触表笔的金属部分或电阻器的引线部分）。
