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我们设消耗的功率为50mW(也就是说，我们可以使用100mW规格的电阻)，这就要求R不得小于20Ω，如果采用20Ω的电阻，由欧姆定律可得副边匝数N=200。现在我们来看磁芯，设二极管是普通的一般的二极管，通态电压大约为1V，电流为10A/200=50mA。互感器输出电压为1V，加上二极管的通态电压1V，总电压大约2V。250kHz频率工作时，磁芯上的磁感应强度不会超过其中4us为一个周期的时间，实际肯定是不到一个周期的。
明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
它又分为两相、三相和五相，两相步进角一般为1.8度，三相步进角一般为1.2度，而五相步进角一般为0.72度。混合式步进电机的转子本身具有磁性，因此在同样的定子电流下产生的转矩要大于反应式步进电机，且其步距角通常也较小，经济型数控机床一般需用混合式步进电机驱动。但混合转子的结构较复杂、转子惯量大，其快速性要低于反应式步进电机。混合式步进电机特性输出转矩大，高转速。电机发热小，噪音低，效率高。高速停止平稳快速，无零速振荡运行平稳，振动噪声小。
