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电工，特别是企业电工，对无功功率补偿柜一定都不陌生，今天就来简单谈谈它的具体作用和构成。大家都知道电网中存在很多感性负载，基本上带线圈的都是感性负载，在运行中需要向这些设备相应的无功功率。为了解决这个问题，供电单位要求用电单位并联电容器等作无功补偿，给感性负载所需要的无功功率，减少了电网电源用线路向感性负载输送的无功功率，这样既减轻了电网输送负担，又能减少电能损耗，无功功率补偿简单理解就是这么回事。
主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。
以上各相的交链磁通用“式2”表示，电流i用“式3”表示：上式中，KK3为基波和三次谐波的系数。转子以同步速度转动，下式成立：θ=ωt-δ根据以上式子，各相转矩的三相电机转矩如下式所示：即三相电机的转矩K3项消去，不受磁通三次谐波的影响，不含成为一恒定转矩。另一方面，两相电机的情形也同样变成如下式所：根据上式，两相转矩的两相式细分驱动时的转矩T2变成下式：根据上式，第1项为一恒定转矩，第2相为含ω的振动转矩。
