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电容的容量视需要而定，其耐压只要高于电源电压即可。电路切断时的感应电势是加不到电容上的。倘若电源电压已经确定，线圈电阻也巳很大，再串联电阻之后有可能使稳态电流略小于吸合电流，初看起来这种情况就不能采用上述方法了，但是关刚刚合上时电容相当于短路，只要这段时间里的电流大于吸合电流，仍然可以使继电器吸合。至于稳态电流虽小于吸合电流，只要它仍大于释放电流，就能保持吸合不放。所以串联电阻的阻值不一定按照吸合电流来计算。
以上各相的交链磁通用“式2”表示，电流i用“式3”表示：上式中，KK3为基波和三次谐波的系数。转子以同步速度转动，下式成立：θ=ωt-δ根据以上式子，各相转矩的三相电机转矩如下式所示：即三相电机的转矩K3项消去，不受磁通三次谐波的影响，不含成为一恒定转矩。另一方面，两相电机的情形也同样变成如下式所：根据上式，两相转矩的两相式细分驱动时的转矩T2变成下式：根据上式，第1项为一恒定转矩，第2相为含ω的振动转矩。


MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。