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不管是接正转还是反转，在接线之前我们都要先分出主线圈和副线圈。主副线圈判断方法：用万用表测电机三个端子，可以得到三组数值。其中阻值的那一组就是主线圈，阻值的一组就是主线圈和副线圈串联的阻值，剩下的一组就是副线圈。因为主线圈线径比副线圈粗，所以阻值比副线圈要小。正转接线方法先把电容接在阻值的两个端子上，然后把火线和零线分别接在主线圈两端即可。反转接线方法先把电容接在阻值的两个端子上，然后把火线和零线分别接在副线圈两端即可。
MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。


禁止中断指令DISI(DisableInterrupt)全局性地禁止所有中断事件，允许中断排队等候，但是不允许执行中断程序，直到用全局中断允许指令ENI重新允许中断。进入RUN模式时自动禁止中断。在RUN模式执行全局中断允许指令后，各中断事件发生时是否会执行中断程序，取决于是否执行了该中断事件的中断连接指令。使ENO=0的错误条件：SM4.3(运行时间)，0004(在中断程序中执行ENDISHDEF指令)。