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测量电缆芯线测量电缆芯线与外皮的绝缘，或测量电容器引线与其外壳间的绝缘时，兆欧表的“相线”应与电缆芯线，或电容器的引线脚相连，“地线”应与电缆外皮，或电容器的外壳相连。“屏蔽”接电缆的绝缘纸。转动兆欧表转动兆欧表时，不要忽快忽慢。由于容性元件有一定的充电时间，故在初摇兆欧表时，兆欧表表针指示的电阻值很小，甚至为零，此时不一定说明所测元件绝缘已经损坏。所以应至少摇1min以后，待表针稳定时，读得的数据才是正确值。
双向触发二极管是一种二端交流器件(DIAC)，它的结构简单、价格低廉，与双向晶闸管同时问世，因此与双向晶闸管有着密切的，作用是常用来触发双向晶闸管。如下图是双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性图。它是三层对称性的二端半导体器件，等效于基极路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。在一般情况下，双向触发二极管呈高阻截止状态。工作原理：当外加电压(不分正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时，它便会击穿导通也就是说只要在它的控制极上加上正的或负的触发脉冲，都能使管子触发导通。


MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。