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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。
如果想把温度值到0.1℃，把327.67/10即可。模拟量控制包括：反馈控制、前馈控制、比例控制、模糊控制等。这些都是PLC内部数字量的计算过程。脉冲量是其取值总是不断的在0(低电平)和1(高电平)之间交替变化的数字量。每秒钟脉冲交替变化的次数称为频率。PLC脉冲量的控制目的主要是位置控制、运动控制、轨迹控制等。：脉冲数在角度控制中的应用。步进电机驱动器的细分是每圈10000，要求步进电机旋转90度。


对电容进行测量时，通过对所测电容表针摆动幅度与参考幅度进行比较可判断电容的好坏。方法2：找一个高度已知容量的电容（耐压250V以上）和一个自耦输出电压可调的变压器，见。Cn为已知电容，Cx为待测电容，接好线通电之后测Cx与Cn上各自的分压，但需注意电源变压后的输出电压不应大于Cx的耐压。此时可根据公式Uo／Ux=Co／Cx推算出Cx的容量。若Cx的耐压在300V以上，则可直接将两只串联电容接于220V的交流电源（注：此法只适应非极性电容）。